FDC3601N
Symbol Micros:
TFDC3601N
Gehäuse: TSOT23-6
2N-MOSFET 1A 100V 0.7W 0.5Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 500mOhm |
Max. Drainstrom: | 1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | TSOT23-6 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC3601N
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1925 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC3601N
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1965 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC3601N
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
477000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1994 |
Widerstand im offenen Kanal: | 500mOhm |
Max. Drainstrom: | 1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | TSOT23-6 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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