FDC5612
Symbol Micros:
TFDC5612
Gehäuse: TSOT23-6
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 94mOhm; 4,3A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 94mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC5612
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2020 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC5612
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
27000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2052 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 94mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole