FDC608PZ

Name: TFDC608PZ TFDC608PZ
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDC608PZ
Price: 0.2545 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDC608PZ

Gehäuse: TSOT23-6

P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 43mOhm; 5,8A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	43mOhm
Max. Drainstrom:	5,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC608PZ RoHS .608Z Gehäuse: TSOT23-6 t/r

Auf Lager:

230 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	250+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5861	0,3713	0,2919	0,2639	0,2545

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC608PZ Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

36000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2545

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDC608PZ Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2545

Widerstand im offenen Kanal:	43mOhm
Max. Drainstrom:	5,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD