FDC6303N

Symbol Micros: TFDC6303N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
2N-MOSFET 0.68A 25V 0.7W 0.45Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 680mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6303N Gehäuse: TSOT23-6  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1397
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6303N Gehäuse: TSOT23-6  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1471
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 680mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD