FDC6561AN
Symbol Micros:
TFDC6561AN
Gehäuse: TSOT23-6
2N-MOSFET 2.5A 30V 0.7W 0.095Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 95mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC6561AN
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1960 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC6561AN
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2006 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC6561AN
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
150000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2029 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 95mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole