FDC658AP

Symbol Micros: TFDC658AP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 75 mOhm; 4A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDC658AP RoHS Gehäuse: TSOT23-6 t/r Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1100+
Nettopreis (EUR) 0,3383 0,2210 0,1583 0,1386 0,1297
Standard-Verpackung:
1100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC658AP Gehäuse: TSOT23-6  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1785
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD