FDC658AP
Symbol Micros:
TFDC658AP
Gehäuse: TSOT23-6
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 75 mOhm; 4A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 75mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
Gehäuse: | TSOT23-6 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDC658AP RoHS
Gehäuse: TSOT23-6 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1100+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,3383 | 0,2210 | 0,1583 | 0,1386 | 0,1297 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC658AP
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1785 |
Widerstand im offenen Kanal: | 75mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
Gehäuse: | TSOT23-6 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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