FDD13AN06A0 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD13an06a0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 34 mOhm; 50A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDD13AN06A0 RoHS Gehäuse: DPAK t/r  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,6883 1,3381 1,1396 1,0462 0,9925
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole