FDD16AN08A0 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD16an08a0

Gehäuse: DPAK

N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 37mOhm; 50A; 135W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: FDD16AN08A0-F085;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	37mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	135W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD16AN08A0 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8603

Widerstand im offenen Kanal:	37mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	135W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD