FDD3682

Symbol Micros: TFDD3682
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 90mOhm; 32A; 95W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: FDD3682-F085;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 95W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 95W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD