FDD3682

Symbol Micros: TFDD3682

Gehäuse: TO252

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 90mOhm; 32A; 95W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: FDD3682-F085;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	32A
Maximaler Leistungsverlust:	95W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	32A
Maximaler Leistungsverlust:	95W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD