FDD3706 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD3706
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 19mOhm; 50A; 44W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD3706 RoHS Gehäuse: DPAK  
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9084 0,5978 0,5348 0,4577 0,4320
Standard-Verpackung:
5/10
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD