FDD3N50NZTM ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD3n50nztm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 2,5 Ohm; 2,5A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDD3N50NZTM RoHS Gehäuse: DPAK t/r  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 10+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 0,9299 0,6892 0,5794 0,4509 0,4042
Standard-Verpackung:
5/10
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD