FDD4685 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD4685

Gehäuse: DPAK

P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 42mOhm; 40A; 69W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	42mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	69W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD4685 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5755

Widerstand im offenen Kanal:	42mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	69W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD