FDD5612 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD5612
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Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 103mOhm; 18A; 42W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 103mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 103mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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