FDD6637 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD6637
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
P-Channel-MOSFET-Transistor; 35V; 25V; 19mOhm; 55A; 57W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 35V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD6637 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6480
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD6637 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
12500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4750
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD6637 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6629
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 35V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD