FDD6690A ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD6690a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 19mOhm; 46A; 56W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 46A
Maximaler Leistungsverlust: 56W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDD6690A RoHS Gehäuse: DPAK t/r  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0485 0,7706 0,6188 0,5301 0,4997
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 46A
Maximaler Leistungsverlust: 56W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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