FDD86102

Symbol Micros: TFDD86102
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Gehäuse: TO252
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 36A; 62W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDD86102LZ;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 62W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD86102 Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7562
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 62W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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