FDD8424H ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD8624H

Gehäuse: DPAK

N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 37mOhm/80mOhm; 26A/20A; 30W/35W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDD8424H-F085A; FDD8424H_F085A;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	80mOhm
Max. Drainstrom:	26A
Maximaler Leistungsverlust:	35W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	80mOhm
Max. Drainstrom:	26A
Maximaler Leistungsverlust:	35W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD