FDD86252 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD86252
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 103mOhm; 27A; 89W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 103mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD86252 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5272 1,1653 0,9644 0,8453 0,8033
Standard-Verpackung:
10
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD86252 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8033
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 103mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD