FDD8647L ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD8647L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 13,6 mOhm; 52A; 43W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,6mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDD8647L RoHS Gehäuse: DPAK t/r  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1769 0,7753 0,6936 0,5931 0,5604
Standard-Verpackung:
5/10
Widerstand im offenen Kanal: 13,6mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD