FDD8896 TO252(DPAK)

Symbol Micros: TFDD8896 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9,2mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: YFW100N03AD;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,2mOhm
Max. Drainstrom: 94A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW100N03AD RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,3887 0,2545 0,1869 0,1608 0,1497
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 9,2mOhm
Max. Drainstrom: 94A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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