FDD8896 TO252(DPAK)

Symbol Micros: TFDD8896 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9,2 mOhm; 94A; 80W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: YFW100N03AD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,2mOhm
Max. Drainstrom: 94A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW100N03AD RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,3909 0,2560 0,1880 0,1617 0,1506
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150
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-04-15
Anzahl Stück: 500
Widerstand im offenen Kanal: 9,2mOhm
Max. Drainstrom: 94A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD