FDG6317NZ
Symbol Micros:
TFDG6317NZ
Gehäuse: SC-88
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SC-88 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDG6317NZ
Gehäuse: SC-88
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0620 |
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SC-88 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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