FDL100N50F
Symbol Micros:
TFDL100n50f
Gehäuse: TO264
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5 kW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 43mOhm |
Max. Drainstrom: | 100A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5kW |
Gehäuse: | TO264 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDL100N50F RoHS
Gehäuse: TO264
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 20+ | 40+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 19,4195 | 16,8811 | 15,2301 | 14,6206 | 14,1746 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDL100N50F
Gehäuse: TO264
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 14,1746 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDL100N50F
Gehäuse: TO264
Externes Lager:
467 stk.
Anzahl Stück | 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 14,1746 |
Widerstand im offenen Kanal: | 43mOhm |
Max. Drainstrom: | 100A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5kW |
Gehäuse: | TO264 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 125°C |
Montage: | THT |
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