FDN304P UMW

Symbol Micros: TFDN304p UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 100 mOhm; 2,4A; 1,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDN304P Onsemi;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: FDN304P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2043 0,0969 0,0546 0,0413 0,0371
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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