FDN306P SOT23 TEC
Symbol Micros:
TFDN306p TEC
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45 W; -55°C~150°C; Äquivalent: TCJ2305;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | -2,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 0,45mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | TECH PUBLIC |
Max. Drain-Source Spannung: | -12V |
Transistor-Typ: | MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | -2,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 0,45mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | TECH PUBLIC |
Max. Drain-Source Spannung: | -12V |
Transistor-Typ: | MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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