FDN306P SOT23 TEC

Symbol Micros: TFDN306p TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45 W; -55°C~150°C; Äquivalent: TCJ2305;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: -2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 0,45mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: -12V
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: FDN306P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2919 0,1593 0,1044 0,0901 0,0831
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: -2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 0,45mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: -12V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD