FDN338P SOT23-3 HUASHUO

Name: TFDN338p HUA TFDN338p HUA
Brand: HUASHUO
SKU: TFDN338pHUA
Price: 0.0312 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDN338p HUA

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 140 mOhm; 3A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Huashuo Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: HUASHUO Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

2191 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2191+
Nettopreis (EUR)	0,1719	0,0815	0,0456	0,0345	0,0312

Hersteller: HUASHUO Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

809 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	150+	809+	4045+
Nettopreis (EUR)	0,1719	0,0686	0,0420	0,0336	0,0312

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Huashuo Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD