FDN338P SOT23-3 HUASHUO

Symbol Micros: TFDN338p HUA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Huashuo Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HUASHUO Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2191 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2191+
Nettopreis (EUR) 0,1719 0,0815 0,0456 0,0345 0,0312
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Standard-Verpackung:
2191
Hersteller: HUASHUO Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
809 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 809+ 4045+
Nettopreis (EUR) 0,1719 0,0686 0,0420 0,0336 0,0312
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Standard-Verpackung:
809
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Huashuo Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

Symbol Micros

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