FDN338P-NL SOT23-3 VBsemi Elec
Symbol Micros:
TFDN338p VBS
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 35mOhm; 5A; 2,5 W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VBS |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VBS |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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