FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Symbol Micros:
TFDN339an
Gehäuse: SuperSOT3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 61mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SuperSOT3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN339AN RoHS
Gehäuse: SuperSOT3
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4102 | 0,2260 | 0,1777 | 0,1646 | 0,1578 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN339AN
Gehäuse: SuperSOT3
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1578 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN339AN
Gehäuse: SuperSOT3
Externes Lager:
30000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1578 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 61mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SuperSOT3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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