FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)

Symbol Micros: TFDN339an
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SuperSOT3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 61mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SuperSOT3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN339AN RoHS Gehäuse: SuperSOT3 Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4501 0,2479 0,1952 0,1808 0,1733
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 61mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SuperSOT3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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