FDN359AN

Symbol Micros: TFDN359an
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 75 mOhm; 2,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDN359AN RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4032 0,2221 0,1746 0,1618 0,1551
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN359AN Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1551
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN359AN Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1551
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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