FDN360P

Name: TFDN360P TFDN360P
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDN360P
Price: 0.1611 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDN360P

Gehäuse: SSOT3

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 136 mOhm; 2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	136mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P RoHS Gehäuse: SSOT3

Auf Lager:

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Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4180	0,2756	0,1966	0,1719	0,1611

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P Gehäuse: SSOT3

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123000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1611

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P Gehäuse: SSOT3

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9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1611

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

171000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1611

Widerstand im offenen Kanal:	136mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD