FDP18N50

Name: TFDP18n50 TFDP18n50
Brand: Fairchild
SKU: TFDP18n50
Price: 1.4186 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDP18n50

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 265 mOhm; 18A; 235 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	265mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	235W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP18N50 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,0643	1,7304	1,5389	1,4198	1,3754

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP18N50 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

10521 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3754

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP18N50 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

750 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4337

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDP18N50 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4186

Widerstand im offenen Kanal:	265mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	235W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT