FDP2532
Symbol Micros:
TFDP2532
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 48mOhm |
Max. Drainstrom: | 79A |
Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDP2532 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,7200 | 2,9774 | 2,6855 | 2,5314 | 2,4963 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDP2532
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,4963 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDP2532
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
871 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,4963 |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDP2532
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1600 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,4963 |
Widerstand im offenen Kanal: | 48mOhm |
Max. Drainstrom: | 79A |
Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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