FDP2572
Symbol Micros:
TFDP2572
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 29A 150V 135W 0.054Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 54mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 135W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDP2572
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
650 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9913 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDP2572
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0160 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 54mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 135W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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