FDP3652

Symbol Micros: TFDP3652
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 43mOhm; 61A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 43mOhm
Max. Drainstrom: 61A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP3652 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8254
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 43mOhm
Max. Drainstrom: 61A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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