FDP52N20

Name: TFDP52n20 TFDP52n20
Brand: Fairchild
SKU: TFDP52n20
Price: 1.2820 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDP52n20

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	49mOhm
Max. Drainstrom:	52A
Maximaler Leistungsverlust:	357W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP52N20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,9242	1,6136	1,4338	1,3241	1,2820

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP52N20 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2834 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2820

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDP52N20 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2820

Widerstand im offenen Kanal:	49mOhm
Max. Drainstrom:	52A
Maximaler Leistungsverlust:	357W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT