FDP8860 Fairchild
Symbol Micros:
TFDP8860
Gehäuse: TO220AB
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 3,8 mOhm; 80A; 254W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 254W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 254W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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