FDPF18N50
Symbol Micros:
TFDPF18n50
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 265 mOhm; 18A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 265mOhm |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 38,5W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDPF18N50 RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
6 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 6+ | 18+ | 30+ | 150+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,6149 | 2,7625 | 2,5290 | 2,4590 | 2,3329 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDPF18N50
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
700 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,3329 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDPF18N50
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
1950 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,3329 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 265mOhm |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 38,5W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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