FDPF3860T

Symbol Micros: TFDPF3860t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 38,2 mOhm; 20A; 33,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38,2mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 33,8W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDPF3860T RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2593 0,8820 0,7499 0,6863 0,6627
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 38,2mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 33,8W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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