FDPF51N25
Symbol Micros:
TFDPF51n25
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 51A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 38W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDPF51N25 RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9881 | 1,5275 | 1,3583 | 1,2713 | 1,2431 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDPF51N25
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2431 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 51A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 38W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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