FDPF51N25

Name: TFDPF51n25 TFDPF51n25
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDPF51n25
Price: 1.2650 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDPF51n25

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	51A
Maximaler Leistungsverlust:	38W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDPF51N25 RoHS Gehäuse: TO220iso

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,0230	1,5543	1,3821	1,2937	1,2650

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDPF51N25 Gehäuse: TO220iso

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2595 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2650

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDPF51N25 Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

900 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2650

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	51A
Maximaler Leistungsverlust:	38W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT