FDS2582 Fairchild

Symbol Micros: TFDS2582
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 146 mOhm; 4.1A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 146mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDS2582 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8920 0,5931 0,4904 0,4437 0,4250
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 146mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD