FDS2582 Fairchild
Symbol Micros:
TFDS2582
Gehäuse: SOIC08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 146 mOhm; 4.1A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 146mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOIC08 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDS2582 RoHS
Gehäuse: SOIC08t/r
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,8920 | 0,5931 | 0,4904 | 0,4437 | 0,4250 |
Widerstand im offenen Kanal: | 146mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOIC08 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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