FDS4435BZ

Name: TFDS4435bz TFDS4435bz
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDS4435bz
Price: 0.3316 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDS4435bz

Gehäuse: SOP08

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 35mOhm; 8,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDS4435BZ-F085;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	8,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS4435BZ RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7636	0,4834	0,3806	0,3479	0,3316

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS4435BZ Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3316

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDS4435BZ Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

47500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3316

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	8,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD