FDS4935BZ ONS

Symbol Micros: TFDS4935bz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 6,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDS4935BZ RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
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100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9773 0,6499 0,5377 0,4840 0,4652
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 6,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Montage: SMD

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