FDS6673BZ

Symbol Micros: TFDS6673bz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Odpowiednik: FDS6673BZ-F085;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 14,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS6673BZ RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9271 0,6165 0,5091 0,4600 0,4414
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 14,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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