FDS6679AZ Fairchild

Symbol Micros: TFDS6679az
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 14,8 mOhm; 13A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14,8mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDS6679AZ RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8825 0,5548 0,4612 0,4097 0,3839
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 14,8mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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