FDS6681Z

Symbol Micros: TFDS6681z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-07-26
Anzahl Stück: 50
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Montage: SMD

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