FDS6690A

Symbol Micros: TFDS6690a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS6690A RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5278 0,2919 0,2307 0,2176 0,2106
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS6690A Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
52500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2560
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD