FDS6699S

Symbol Micros: TFDS6699s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 5,6 mOhm; 21A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,6mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDS6699S RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3803 1,0533 0,8711 0,7637 0,7263
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 5,6mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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