FDT3612

Symbol Micros: TFDT3612

Gehäuse:

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 245 mOhm; 3,7A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	245mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDT3612 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

16000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2474

Widerstand im offenen Kanal:	245mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD