FDT439N
Symbol Micros:
TFDT439N
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 72mOhm; 6,3A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 72mOhm |
Max. Drainstrom: | 6,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDT439N RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
3868 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,8061 | 0,5117 | 0,4019 | 0,3668 | 0,3505 |
Widerstand im offenen Kanal: | 72mOhm |
Max. Drainstrom: | 6,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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