FDT439N

Symbol Micros: TFDT439N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 72mOhm; 6,3A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 6,3A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDT439N RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
3868 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8061 0,5117 0,4019 0,3668 0,3505
Standard-Verpackung:
4000
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 6,3A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD