FDT458P Fairchild

Symbol Micros: TFDT458p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 210mOhm; 3,4A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 3,4A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDT458P Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2740
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 3,4A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole