FDT86106LZ

Symbol Micros: TFDT86106lz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 189 mOhm; 3,2A; 2,2 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 189mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDT86106LZ RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6655 0,4180 0,3479 0,3082 0,2896
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 189mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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